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Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2004年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jimbo
題名：
Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal
発表情報：
Solid-State Electronics 48 (2004) pp.689–695.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
N.Miura, T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, T.Ozeki, H.Ishikawa, T.Egawa, T.Jimbo
Title：
Thermal annealing effects on Ni/Au based Schottky contacts on n-GaN and AlGaN/GaN with insertion of high work function metal
Announcement information:
Solid-State Electronics 48 (2004) pp.689–695.

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