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Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2006年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Yasunori Tokuda
題名：
Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs
発表情報：
phys.stat.sol.(c) 3 (2006) pp.2364–2367.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Yasunori Tokuda
Title：
Ion implantation doping for AlGaN/GaN HEMTs
Announcement information:
phys.stat.sol.(c) 3 (2006) pp.2364–2367.

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