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Effects of a thin Al layer insertion between AlGaN and Schottky gate on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2006年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Effects of a thin Al layer insertion between AlGaN and Schottky gate on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 043503.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, T.Oishi, M.Suita, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Effects of a thin Al layer insertion between AlGaN and Schottky gate on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor characteristics
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 043503.

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