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Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2008年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda
題名：
Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique
発表情報：
Electron.Lett. 44 (2008) pp.1378-1379.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M.Suita, T.Nanjo, T.Oishi, Y.Abe and Y.Tokuda
Title：
Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique
Announcement information:
Electron.Lett. 44 (2008) pp.1378-1379.

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