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Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2008年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, M.Takeuchi, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda and Y.Aoyagi
題名：
Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors
発表情報：
Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 263502.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, M.Takeuchi, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, Y.Tokuda and Y.Aoyagi
Title：
Remarkable breakdown voltage enhancement in AlGaN channel high electron mobility transistors
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 263502.

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