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Comparison of characteristics of AlGaN channel HEMTs formed on SiC and sapphire substrates

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda
題名：
Comparison of characteristics of AlGaN channel HEMTs formed on SiC and sapphire substrates
発表情報：
Electron. Lett. 45 (2009) pp.424-425.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda
Title：
Comparison of characteristics of AlGaN channel HEMTs formed on SiC and sapphire substrates
Announcement information:
Electron. Lett. 45 (2009) pp.424-425.

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