MF研究者総覧

教員活動データベース

詳細

AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda and Y.Aoyagi
題名：
AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current
発表情報：
Electron.Lett. 45 (2009) pp.1346-1347.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, M.Takeuchi, A.Imai, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, T.Kurata, Y.Tokuda and Y.Aoyagi
Title：
AlGaN channel HEMTs on AlN buffer layer with sufficiently low off-state drain leakage current
Announcement information:
Electron.Lett. 45 (2009) pp.1346-1347.

Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.