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Drivability Enhancement for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with AlN Spacer Layer Using Si Ion Implantation Doping

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda
題名：
Drivability Enhancement for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with AlN Spacer Layer Using Si Ion Implantation Doping
発表情報：
Applied Physics Express 2 (2009) 031003.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda
Title：
Drivability Enhancement for AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with AlN Spacer Layer Using Si Ion Implantation Doping
Announcement information:
Applied Physics Express 2 (2009) 031003.

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