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Enhancement of Drain Current by an AlN Spacer Layer Insertion in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Si-Ion-Implanted Source/Drain Contacts

発表形態：: 原著論文
主要業績：: 主要業績
単著・共著：: 共著
発表年月：: 2011年

DOI：
会議属性：: 指定なし
査読：: 有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：

T.Nanjo, T.Motoya, A.Imai, Y.Suzuki, K.Shiozawa, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda

題名：

Enhancement of Drain Current by an AlN Spacer Layer Insertion in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Si-Ion-Implanted Source/Drain Contacts

発表情報：

Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 064101.

キーワード：

概要：

抄録：

英語フィールド

Author：

T.Nanjo, T.Motoya, A.Imai, Y.Suzuki, K.Shiozawa, M.Suita, T.Oishi, Y.Abe, E.Yagyu, K.Yoshiara and Y.Tokuda

Title：

Enhancement of Drain Current by an AlN Spacer Layer Insertion in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Si-Ion-Implanted Source/Drain Contacts

Announcement information:

Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 064101.