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AlGaN channel HEMT with Extremely High Breakdown Voltage

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2013年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
T.Nanjo , A.Imai , Y.Suzuki , Y.Abe , T.Oishi , M.Suita , E.Yagyu , Y.Tokuda
題名：
AlGaN channel HEMT with Extremely High Breakdown Voltage
発表情報：
IEEE Trans. Electron Devices, 60 (2013) pp.1046-1053.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
T.Nanjo , A.Imai , Y.Suzuki , Y.Abe , T.Oishi , M.Suita , E.Yagyu , Y.Tokuda
Title：
AlGaN channel HEMT with Extremely High Breakdown Voltage
Announcement information:
IEEE Trans. Electron Devices, 60 (2013) pp.1046-1053.

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