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Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2013年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K.Hayashi, Y.Yamaguchi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto
題名：
Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 04CF12.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K.Hayashi, Y.Yamaguchi, T.Oishi, H.Otsuka, K.Yamanaka, M.Nakayama and Y.Miyamoto
Title：
Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 04CF12.

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