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Analysis of On-state Gate Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under Electrical and Temperature Stress

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2013年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K.Hayashi, H.Sasaki, and T.Oishi
題名：
Analysis of On-state Gate Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under Electrical and Temperature Stress
発表情報：
Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 124101.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K.Hayashi, H.Sasaki, and T.Oishi
Title：
Analysis of On-state Gate Current of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor under Electrical and Temperature Stress
Announcement information:
Jpn. J. Appl. Phys., 52（2013） 124101.

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