MF研究者総覧

教員活動データベース

Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2015年11月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Fabi Zhang; Katsuhiko Saito; Tooru Tanaka; Mitsuhiro Nishio Nishio; Qixin Guo*
題名:
Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition
発表情報:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 26, 9624-9629, 2015.
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Fabi Zhang; Katsuhiko Saito; Tooru Tanaka; Mitsuhiro Nishio Nishio; Qixin Guo*
Title:
Electrical properties of Si doped Ga2O3 films grown by pulsed laser deposition
Announcement information:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 26, 9624-9629, 2015.


Copyright © MEDIA FUSION Co.,Ltd. All rights reserved.