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Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2011年05月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q. X. Guo,H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
題名：
Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy
発表情報：
APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 181901-1-3, (2011)
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q. X. Guo,H. Senda, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, J. Ding, T. X. Fan, D. Zhang, X. Q. Wang, S. T. Liu, B. Shen, and R. Ohtani
Title：
Electronic structure of GaInN semiconductors investigated by x-ray absorption spectroscopy
Announcement information:
APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 181901-1-3, (2011)

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