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X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2005年
DOI:
会議属性:
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Q.X. Guo, J. Ding, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
題名:
X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.
発表情報:
Applied Physics letters. 86, 111911-(1-3) (2005)
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Q.X. Guo, J. Ding, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa
Title:
X-ray absorption near-edge fine structure study of AlInN semiconductors.
Announcement information:
Applied Physics letters. 86, 111911-(1-3) (2005)


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