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Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2002年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Guo, Q. X / Okada, A / Kidera, H / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
題名：
Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs
発表情報：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 巻: 237/239 号: 2 ページ: 1032-1036
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Guo, Q. X / Okada, A / Kidera, H / Tanaka, T / Nishio, M / Ogawa, H
Title：
Effect of GaN buffer layer on crystallinity of InN grown on (111)GaAs
Announcement information:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Vol: 237/239 Issue: 2 Page: 1032-1036

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