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Growth of InN films on GaAs(111) and GaP(111) substrates by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1995年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X.Guo, H.Ogawa, H.Yamano, and A.Yoshida
題名：
Growth of InN films on GaAs(111) and GaP(111) substrates by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報：
Applied Physics Letters, 66, 715-717 (1995).
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X.Guo, H.Ogawa, H.Yamano, and A.Yoshida
Title：
Growth of InN films on GaAs(111) and GaP(111) substrates by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
Applied Physics Letters, 66, 715-717 (1995).

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