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Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
1994年
DOI：
会議属性：
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Q.X.Guo, T.Yamamura, A.Yoshida, and N.Itoh
題名：
Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
発表情報：
Journal of Applied Physics, 75, 4927-4932 (1994).
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Q.X.Guo, T.Yamamura, A.Yoshida, and N.Itoh
Title：
Structural properties of InN film grown on sapphire substrate by microwave excited metalorganic vapor phase epitaxy
Announcement information:
Journal of Applied Physics, 75, 4927-4932 (1994).

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