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Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal

発表形態:
一般講演(学術講演を含む)
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2019年08月
DOI:
会議属性:
国際会議(国内開催を含む)
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. Ueda 読み: M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. Ueda
題名:
Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal
発表情報:
2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio, August 12-15th 2019
キーワード:
酸化ガリウム
概要:
酸化ガリウム素子を調査した。
抄録:
酸化ガリウム素子を調査した。

英語フィールド

Author:
M. Kasu, S. Masuya, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Kobayashi, K. Hoshikawa, and O. Ueda
Title:
Synchrotron X-ray Topography Observation of Defects in Vertical-Bridgman-Grown β-Ga2O3 Single Crystal
Announcement information:
2019 International Workshop on Gallium Oxide and related materials, Columbus Ohio, August 12-15th 2019
Keyword:
gallium oxide
An abstract:
gallium oxide devices
An abstract:
gallium oxide devices


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