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RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2019年05月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim 読み: M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
題名：
RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds
発表情報：
the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
キーワード：
ダイヤモンド
概要：
ダイヤモンド素子を調べる。
抄録：
ダイヤモンド素子を調べる。

英語フィールド

Author：
M. Kasu, Y. Ishimatsu, T. Kamogawa, N. C. Saha, T. Oishi, S. -W. Kim
Title：
RF characteristics for submicron-gate diamond MOSFETs fabricated on heteroepitaxial diamonds
Announcement information:
the 13th New Diamond and Nano Carbons Conference. May 15-17, 2019, Hualien, Taiwan.
Keyword：
diamond
An abstract：
ダイヤモンド素子を調べる。
An abstract：
ダイヤモンド素子を調べる。

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