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Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2019年02月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
題名:
Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy
発表情報:
APL. Mater 巻: 7 ページ: 022503
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, and S. Fujita
Title:
Epitaxial lateral overgrowth alpha-GaO3 by Halide Vapor Epiaxy
Announcement information:
APL. Mater Vol: 7 Page: 022503


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