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Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2016年08月
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
有り
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
題名:
Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 ページ: 1202B7
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Takayoshi Oshima, Ryo Wakabayashi, Mai Hattori, Akihiro Hashiguchi, Naoto Kawano, Kohei Sasaki, Takekazu Masui, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Kohei Yoshimatsu, Akira Ohtomo, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu
Title:
Formation of indium–tin oxide ohmic contacts for β-Ga2O3
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 55 Page: 1202B7


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