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Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年10月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Hirama, Y. Taniyasu, M. Kasu
題名：
Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface
発表情報：
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 ページ: 090114
キーワード：
ダイヤモンド
概要：
ダイヤ上窒化物の成長機構を解明
抄録：
ダイヤ上窒化物の成長機構を解明

英語フィールド

Author：
平間、谷保、嘉数
Title：
Epitaxial growth of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on diamond (111) surface
Announcement information:
Vol: 51 Page: 090114
Keyword：
Diamond

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