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High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2008年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
題名:
High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes
発表情報:
Japanese Journal of Applied Physics 巻: 47 ページ: 2838-2840
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
A. Nishikawa, K. Kumakura, M. Kasu, and T. Makimoto
Title:
High-temperature characteristics of AlxGa1-xN-based vertical conducting diodes
Announcement information:
Japanese Journal of Applied Physics Vol: 47 Page: 2838-2840


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