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Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2007年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
題名：
Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination
発表情報：
Applied Physics Letters 巻: 90 ページ: 043509
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
M. Kasu, K. Ueda, Y. Yamauchi, and T. Makimoto
Title：
Gate capacitance-voltage characteristics of submicron-long-gate diamond field-effect transistors with hydrogen surface termination
Announcement information:
Applied Physics Letters Vol: 90 Page: 043509

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