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Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2006年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
題名:
Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density
発表情報:
Applied Physics Letters 巻: 89 ページ: 182112
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
Title:
Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density
Announcement information:
Applied Physics Letters Vol: 89 Page: 182112


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