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Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
2004年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
題名:
Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)
発表情報:
Appl. Phys. Lett. 巻: 85 ページ: 4672-4674
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto
Title:
Electrical conduction properties of n-type Si-doped AlN with high electron mobility ( > 100 cm2 V-1 s-1)
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 85 Page: 4672-4674


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