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Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2002年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
題名：
Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content
発表情報：
Physica Status Solidi (B) 巻: 234 ページ: 845-849
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Y. Taniyasu, M. Kasu, and N. Kobayashi
Title：
Intentional control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlxGa1-xN with high Al content
Announcement information:
Physica Status Solidi (B) Vol: 234 Page: 845-849

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