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Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale

発表形態:
原著論文
主要業績:
主要業績
単著・共著:
共著
発表年月:
1997年
DOI:
会議属性:
指定なし
査読:
リンク情報:

日本語フィールド

著者:
M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
題名:
Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale
発表情報:
Appl. Phys. Lett. 巻: 70 ページ: 1161-1163
キーワード:
概要:
抄録:

英語フィールド

Author:
M. Kasu, T. Makimoto, and N. Kobayashi
Title:
Selective-area GaAs growth using nitrogen passivation and scanning tunneling microscopy modification in a nanometer scale
Announcement information:
Appl. Phys. Lett. Vol: 70 Page: 1161-1163


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