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Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2005年09月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
題名：
Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
発表情報：
11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa
Title：
Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Announcement information:
11th International Conference on II-VI Compounds, Warsaw, September 12-16, 2005

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