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Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2012年05月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q. X. Guo, M. Nishio
題名：
Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE
発表情報：
physica status solidi (c) 9 (2012) 1736-1739.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
K. Saito, T. Saeki, T. Tanaka, Q. X. Guo, M. Nishio
Title：
Influence of dopant transport rate upon photoluminescence and electrical properties of phosphorus-doped ZnMgTe layers grown by MOVPE
Announcement information:
physica status solidi (c) 9 (2012) 1736-1739.

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