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Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2011年04月
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Mitsuhiro Nishio, Kyosuke Hiwatashi, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
題名：
Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method
発表情報：
Journal of Crystal Growth, 318 (2011)524-527.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Mitsuhiro Nishio, Kyosuke Hiwatashi, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka, Qixin Guo
Title：
Temperature dependence of electrical properties for P-doped ZnMgTe bulk crystals of high quality grown by Bridgman method
Announcement information:
Journal of Crystal Growth, 318 (2011)524-527.

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