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MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性
発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年09月
DOI：
会議属性：
国内会議
査読：
無し
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日本語フィールド
著者：
角口芳樹・斉藤勝彦・田中 徹・西尾光弘・郭 其新
題名：
MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性
発表情報：
平成21年第62回電気関係学会九州支部連合大会, 九州工業大学，平成21年9月29日，06-2P-07
キーワード：
概要：
抄録：
英語フィールド
Author：
角口芳樹・斉藤勝彦・田中 徹・西尾光弘・郭 其新
Title：
MOVPE法によるGaAs基板上ZnTeエピタキシャル成長膜の構造特性
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