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Growth of InGaN films by reactive sputtering

発表形態：
一般講演（学術講演を含む）
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2009年07月
DOI：
会議属性：
国際会議（国内開催を含む）
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Qixin Guo, Masahiko Ogata, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
題名：
Growth of InGaN films by reactive sputtering
発表情報：
10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P1-27, p.177-180.
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Qixin Guo, Masahiko Ogata, Yaliu Ding, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio
Title：
Growth of InGaN films by reactive sputtering
Announcement information:
10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processses (ISSP2009), Kanazawa, July 8-9, 2009, TF P1-27, p.177-180.

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