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Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

著者：

Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa

題名：

発表情報：

physica status solidi (c) 巻: 3 ページ: 833-836

キーワード：

概要：

抄録：

Author：

Katsuhiko Saito, Tetsuo Yamashita, Tooru Tanaka, Mitsuhiro Nishio, Qixin Guo, and Hiroshi Ogawa

Title：

Growth of Boron-Doped ZnTe Homoepitaxial Layer by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Announcement information:

physica status solidi (c) Vol: 3 Page: 833-836