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Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas

発表形態：
原著論文
主要業績：
主要業績
単著・共著：
共著
発表年月：
2003年
DOI：
会議属性：
指定なし
査読：
有り
リンク情報：

日本語フィールド

著者：
Tanaka, T / Hayashida, K / Wang, S / Guo, Q / Nishio, M / Ogawa, H
題名：
Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas
発表情報：
NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B 巻: 199 ページ: 356-360
キーワード：
概要：
抄録：

英語フィールド

Author：
Tanaka, T / Hayashida, K / Wang, S / Guo, Q / Nishio, M / Ogawa, H
Title：
Photoluminescence properties of ZnTe homoepitaxial layers grown by synchrotron-radiation-excited growth using nitrogen carrier gas
Announcement information:
NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B Vol: 199 Page: 356-360

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